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SiC石墨盤 -
SiC石墨盤
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石墨托盤技術1)用于LED外延片加工石墨頂板;2)擋板結構內部晶片邊緣休息;3)擋板與晶片襯底到兩個層次之間的互補關系;4)保持擋板晶片襯底邊緣重合邊構成充分循環。 功能1)較低的熱膨脹系數2)thermak導電性更好3)穩定的化學perfermance4)更好的耐蝕性5)較強的導電性 規范數量單位體積密度1.85克/立方厘米比電阻11 - 14 uΩm抗壓強度90
石墨托盤
技術
1)用于LED外延片加工石墨頂板;
2)擋板結構內部晶片邊緣休息;
3)擋板與晶片襯底到兩個層次之間的互補關系;
4)保持擋板晶片襯底邊緣重合邊構成充分循環。
功能
1)較低的熱膨脹系數
2)thermak導電性更好
3)穩定的化學perfermance
4)更好的耐蝕性
5)較強的導電性
規范
數量單位
體積密度1.85克/立方厘米
比電阻11 - 14 uΩm
抗壓強度90 mpa
撓曲強度40 mpa
肖氏硬度60
灰分500 ppm
平均粒度20 um
膨脹系數4.5 gte
彈性模量11平均績點
